南亞科等記憶體三雄今亮燈漲停。（示意圖/達志影像/shutterstock）
邁入AI推論新時代，記憶體容量需求迎來爆發性成長。南亞科高層預測，未來單顆CPU周邊所配置的高密度DRAM數量恐將突破200顆；同時，AI PC的記憶體容量也預計從目前的16GB大幅躍升至128GB，將持續推升高密度DRAM的市場用量。
南亞科資深副總經理吳志祥於工研院「半導體與AI算力永續競爭力論壇」演講時指出，AI發展正重塑記憶體產業，DRAM已從提升運算效能的重要元件，成為限制AI算力提升的瓶頸。
吳志祥分析，高頻寬記憶體（HBM）雖是大型模型訓練的關鍵，但在AI推論階段，終端裝置更看重低功耗、快速反應與成本。由於HBM功耗偏高且I/O數量受限，在AI PC、手機等攜帶式裝置上並非最佳方案。
為突破此限制南亞科正研發客製化UWIO DRAM，並結合Wafer-on-Wafer（WoW）等3D IC堆疊技術，將DRAM與CPU或ASIC邏輯晶片直接整合，預計可將記憶體頻寬提升5至10倍，單位傳輸能耗則降至HBM的十分之一，更符合地端AI推論的需求。
在記憶體容量方面，吳志祥分析，AI PC單機DRAM容量已從16GB提高至128GB，若AI伺服器採用新一代3D IC架構，一顆CPU周邊甚至需搭配超過200顆高密度DRAM，在全球出貨規模擴張下，將帶動DRAM需求持續攀升。
吳志祥指出，今年HBM約占整體DRAM容量需求一成，加上傳統伺服器DRAM（占比逾四成），兩者已占市場超過五成，未來更可望突破六成。為因應需求，南亞科泰山新晶圓廠總投資金額上看5000億元，並導入EUV極紫外光設備，預計明年開出新產能，資本支出也可望突破2000億元。
受到相關技術與市場展望帶動，加上今（22）日台股早盤飆漲千點，先前修正的記憶體族群迎來強勢反彈，南亞科、華邦電、旺宏等個股均攻上漲停。
◎免責聲明：本文的個股、ETF與專家觀點，非任何投資建議與參考，投資人應獨立判斷，審慎評估風險，自負盈虧。
2026/07/22 12:47
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260722002514-260410
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