應材指出，隨著AI模型規模持續擴大，資料運算與傳輸需求快速成長，記憶體頻寬、容量與能源效率提升速度逐漸落後，形成「記憶體牆」（Memory Wall）瓶頸，帶動高頻寬記憶體（HBM）與3D堆疊封裝需求快速升溫，但製程複雜度也大幅提高。
應材憑藉概括先進封裝、製程控制及DRAM的材料工程技術組合，持續深化各領域的技術領先優勢，推出包括磊晶（Epitaxy）、化學機械平坦化（CMP）、沉積及電子束（eBeam）檢測的新系統，協助客戶以更快速度、更高良率將次世代AI晶片導入量產。
針對DRAM領域，應材推出升級版磊晶系統Centura Prime Epi，導入先進邏輯製程等級的磊晶技術，可在源極與汲極區域精準生長摻雜矽鍺與磷化矽材料，藉由先進應變工程與精準摻雜控制技術，提升電晶體驅動能力。
應材表示，升級後的新系統可提升DRAM速度與能源效率，滿足次世代DDR與HBM的頻寬需求，且設備占地面積縮小20％，有助DRAM晶圓廠提升設備配置密度、加速擴產。半導體產品事業群總裁若傑（Prabu Raja）認為，邏輯與記憶體製程的界線正逐漸融合。
先進封裝方面，應材推出Opta Quad化學機械平坦化（CMP）、Nokota Vmax 2電化學沉積（EECD）、Producer Avila 2電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）3套新系統，聚焦混合鍵合（Hybrid Bonding）、銅互連與超薄晶粒堆疊等關鍵製程，支援AI晶片與HBM堆疊需求。
Opta Quad CMP平台可即時監控晶圓狀態並動態調整製程參數，改善研磨均勻性與厚度控制，強化混合鍵合所需的高平坦度條件。Nokota Vmax 2透過自適應圖案化調校技術（APT），提高整片晶圓銅沉積均勻性，Producer Avila 2則可改善超薄HBM晶粒翹曲問題。
若傑表示，先進封裝已成為提升系統層級效能的重要動能，次世代3D架構日益提升的複雜度，對每道製程提出更高精度的要求。應材憑藉深厚的製程整合能力，能協助客戶以更高的可靠性與良率，實現3D堆疊技術的大規模量產。
同時，因應先進封裝面對的缺陷檢測與量測挑戰提升，應材導入晶圓廠等級的電子束製程控制技術，推出VeritySEM 7AP與SEMVision G7AP新系統，可提供次10奈米量測精度與高解析缺陷複檢能力，強化封裝製程監控。
應材影像暨製程控制事業群主管集團副總裁兼總經理威爾斯（Keith Wells）表示，隨著3D架構先進封裝的結構持續微縮，傳統光學檢測已接近極限，電子束技術將成為封裝廠提升缺陷分析與良率管理的關鍵工具。
2026/07/01 12:48
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260701002398-260410
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