三星發表新一代AI記憶體技術。圖為2025年展示的HBM4的資料照片。路透
三星電子周二（4日）發表新一代AI記憶體技術，力圖強化該公司在AI市場中的晶片製造領先地位。
三星電子選擇在美國加州聖塔克拉拉舉行的記憶體與儲存技術的年度盛會FMS大會上，發表其V10 Bonding V-NAND（BV-NAND） 原型產品。該晶片採用超過400層堆疊，並導入全新的晶圓鍵合架構，以提升儲存密度並提升表現。
隨著AI工作負載已從大型語言模型（LLM）的訓練，逐漸擴展至針對使用者查詢生成答案的推論階段，高容量 NAND記憶體的需求持續增加。NAND快閃記憶體主要用於儲存資料，例如智慧手機等裝置中的照片、影片及應用程式。
三星表示，其BV-NAND技術相較於前一代V9 NAND，可將記憶體密度提升約58%，同時改善讀取、寫入及輸入／輸出效能，以滿足AI系統對更大容量、且更具能源效率儲存方案日益成長的需求。
三星同時展示了他們號稱業界首創的zHBM與zNAND-O架構概念模型，展示其下一代3D記憶體的發展藍圖。這項技術透過垂直堆疊記憶體儲存單元，在相同空間內容納更多資料。
有別於傳統高頻寬記憶體（HBM）是配置在AI處理器旁邊，三星的zHBM則是將記憶體垂直堆疊於AI加速器上方，縮短資料傳輸距離，進而提高頻寬，同時改善能源效率。
三星表示，其晶圓鍵合技術有望讓記憶體密度達到傳統HBM5的10倍以上，能源效率提升三倍，並將熱阻降低超過一半。
儘管部分投資人擔心，一旦中國智慧手機需求轉弱，記憶體的長期需求可能受到影響，但分析師認為，AI市場需求依然異常強勁。
三星上周公布，未來與客戶簽訂的長期供貨協議，最終可能占其記憶體銷售的60%至70%，進一步凸顯AI需求的穩健程度。
花旗分析師上個月在報告中指出，儘管市場憂心終端需求可能放緩，但無論是DRAM或NAND的供應鏈庫存，目前仍遠低於歷史平均水準。
2026/08/05 09:43
轉載自聯合新聞網: https://udn.com/news/story/6811/9671454?from=udn-ch1_breaknews-1-99-news
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