記憶體大軍攻勢回歸，DRAM雙雄南亞科、華邦電股價雙雙上漲6%，記憶體封測南茂(8150)、福懋科(8131)觸及漲停，創見(2451)、旺宏(2337)亦上漲約半根漲停，記憶體通路至上(8112)周一進行除息交易，每股配息3.80元，開盤不到15分鐘即完成填息。
市場緊盯記憶體供需狀況，DRAM需求受惠AI伺服器與邊緣運算帶動記憶體搭載量提升，而供給則主要DRAM大廠將資本支出及產能轉向HBM與DDR5等高階產品，壓縮DDR4、LPDDR4供給，至2028年缺貨難解，推升價格暴漲，而南亞科為DDR4最大供應商，掌握議價的主導權，相關記憶體廠商在價格上行拉抬下，推升獲利顯著成長。不過下半年變數湧現，除了終端需求放緩外，近期更傳出韓國將大投資，兆易創新對未來保守，Meta掀AI算力疑慮，以及蘋果Apple可能採購長鑫與長江存儲晶片等擔憂，使得短期市場波動加劇。
不過市場認為，記憶體的供需並非單一事件被影響，全球記憶體報價目前仍在上行，三星預計第三季上調記憶體價格最高2成，顯示產業供需結構及基本面並未出現明顯惡化，土洋法人維持偏多看法，對記憶體樂觀周期樂觀不變。
根據TrendForce最新記憶體價格調查，2026年第三季整體DRAM格局持續極度緊缺，惟因消費性應用需求下修及高基期作用，合約價漲幅收斂，預計將季增13-18%。NAND Flash主要需求仍由AI推論與大型資料中心建置支撐，但因合約價格已達歷史高點，消費類客戶在需求放緩的情況下，對價格承受力已達極限，預估整體NAND Flash合約價將季增10-15%，幅度較前幾季明顯縮減。
美系外資預估，利基型DRAM漲價趨勢將延續至明年，同時AI帶動NOR Flash需求更加穩健，預估華邦NOR Flash營收將年增70%，華邦電今年EPS上看18.9元，明後年EPS更可望達3個股本水準。
伺服器級DRAM第三季定價追蹤季增達20%，而傳統DRAM如DDR3、DDR4等因供應緊縮和AI相關需求成長，預估季增高達30-40%。而消費級記憶體產品如PC、智慧型手機等在庫存分銷商處的庫存水平偏高，高昂的價格正在抑制市場中的中小型買家，這表明主流消費產品的定價可能即將觸及天花板。
至於NAND，美系外資認為，AI持續在NAND產業中造成短缺，且嚴重的短缺狀態應會持續到2027年。而進入2028年及以後，供需動態將取決於供應紀律，新建產能可能會緩解部分供應緊張，在當前基本產能擴張情況下，若AI NAND增長60%，則短缺幅度約為5%。
對SLC/MLC NAND而言，供應緊張已持續一段時間，並出現需求上行的情況，企業級HDD正轉向使用高密度SLC NAND，故維持旺宏首選的投資評等，華邦電也維持增持評級。
2026/07/06 10:26
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260706001766-260410
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