台灣新聞通訊社-記憶體波動!HBM供需失衡難解 華邦電、旺宏…台廠外溢單還能接多久?

(圖/報系資料照)

韓國大舉擴產、記憶體股價震盪,市場開始擔心新一波供過於求危機。但AI浪潮持續爆發,短期供需失衡仍難解,超級循環週期還有戲?

供需嚴重失衡、致使合約報價逐季上漲的記憶體市場,是否將出現反轉?

6月底,韓國總統李在明高調宣布一項規模高達800兆韓元(約17兆新台幣)的大型投資計畫,誓言要在距離首都圈較遠的韓國西南沿海地帶,打造「記憶體新聚落」,預計在2030年讓三星與SK海力士的DRAM記憶體晶圓產能翻倍。

三巨頭大擴產 仍充滿變數?

由於三星與SK海力士兩大韓國財閥,目前合計掌握全球過半的記憶體市占率,若單論專門應用於AI伺服器的HBM(高頻寬記憶體),兩家企業的市占率更超過八成。HBM三巨頭之一的美光,7月初也宣布斥資93億美元在日本廣島擴增HBM產能,預計2年後出貨。若三巨頭產能皆順利開出,難保不會反讓記憶體供過於求,造成價格崩跌。

因此,當韓國宣布大舉擴產的消息一出,全球記憶體類股立即出現劇烈震盪。除了美光股價單周下跌15%,專攻NAND Flash(快閃記憶體)與SSD(固態硬碟)的日商鎧俠(Kioxia)當周也下跌一成、SanDisk市值蒸發近兩成,台灣的記憶體製造商南亞科、華邦電及旺宏也有近一成的跌幅。

許多投資人心中共同疑問是:記憶體類股近一年來的好光景,要走到盡頭了?

(圖/今周刊提供)

對此,國內外投資機構與記憶體業者的反應,卻相對冷靜。外資美銀就在最新發布的報告中解析,要評估韓國記憶體晶片供給能否實質增加,仍為時過早,畢竟李在明喊出的2030年產能翻倍,聽來固然驚人,但若將時間軸拉長,僅代表每年約15%的年複合成長率。

美銀估算,這項數字還必須扣除舊廠因技術升級關閉,以及製程微縮導致的產能減損。扣除兩項減損因素後,實際運轉的晶圓產能擴張率每年將低於10%,到2030年的成長率將遠遠不及翻倍水準。

近期供應鏈也傳出,SK海力士2028年實際新開出的記憶體產能,可能只有最初規畫的六分之一。

除了成長數字必須扣除減損,韓國的大投資計畫也面臨嚴苛的物理限制。一位台灣記憶體業者指出,李在明大張旗鼓推動的新記憶體聚落,位於韓國西南部的光州、全羅,產業結構是石化與鋼鐵園區,「你可以想像成,是要在10年前的雲林、嘉義蓋晶圓廠,要解決的問題還很多。」

該業者分析,即使是新建記憶體晶圓廠,建廠前也需先布建電力、水利等基礎設施,光是打底就要花5年左右時間;後續的無塵室、機台,還要再花個3到4年,「整個生態鏈建起來,恐怕都是10年以上。」

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《今周刊》(第1542期)

2026/07/12 12:05

轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260712000008-260410