根據《韓聯社》及多家外媒報導，三星推出的這款12層HBM4E晶片在效能上有顯著升級。相較於上一代HBM4，其引腳傳輸速度穩定達14 Gbps，最高可擴展至16 Gbps，整體運算速度提升超過20%。在容量方面，單一晶片達到了48GB，增幅高達30%以上。單一堆疊記憶體頻寬最高更可達3.6 TB/s。
三星表示，除了目前交付的48GB版本，未來也計畫根據客戶各種需求，陸續推出32GB（8層）與64GB（16層）等不同規格產品。透過記憶體與邏輯架構的設計優化，這款新晶片採用了最新的1c DRAM以及三星的4奈米代工基底邏輯晶片，使其能源效率較前代提升16%，熱阻特性也改善超過14%，將大幅協助高負載資料中心解決散熱問題並降低能耗。
而南韓另一家記憶體巨頭SK海力士（SK hynix）也正加緊腳步。根據《韓聯社》報導指出，SK海力士原本計畫於今年下半年內推出HBM4E晶片樣品，已決定將出貨日程提前。不過，另有外媒引述SK海力士4月份的說法指出，計畫於下半年提供樣品，並預計在2027年投入量產。
2026/05/29 12:36
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260529002193-260410
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