台積電（2330）2奈米製程於2025年第4季進入量產，採用成熟製造整合能力及分階段導入策略，實現穩定量產並維持技術領先，法人看好，中砂（1560）、昇陽半導體（8028）、新應材（4749）等三檔供應鏈可望受惠。
投顧法人分析，台積電2奈米導入nanosheet GAA電晶體，將先進製程由FinFET轉向四面閘極結構，突破3奈米以下電性控制極限。GAA透過全包覆channel 明顯改善leakage、short-channel effect及低電壓操作能力，並提供更佳效能與功耗表現，成為2奈米以下主流技術。
相較FinFET，nanosheet具備更高設計彈性與性能平衡，但製造整合複雜度大幅提升，涵蓋蝕刻、沉積、接觸電阻、變異控制及熱管理等挑戰。法人表示，N2 相較N3E可提升10%至15%效能或降低25%至30%功耗，並提高密度逾15%，顯示GAA為先進節點關鍵技術，並強化整體系統效能與功耗優勢表現。
雖然競爭對手南韓三星（Samsung）及美國英特爾（Intel）都已推進post-FinFET架構，但兩家公司策略有所不同。其中，三星最早於商業節點導入GAA，2022年即宣布3奈米量產，並以MBCFET強調電性及能效優勢，但量產良率及客戶採用未同步，至2026年仍僅約40%至45%，顯示製程穩定度與商業化成熟度不足。
英特爾則於18A同時導入RibbonFET及PowerVia，強調效能與供電優化，但屬過渡設計，未能彌補PPA及良率落差，Panther Lake表現亦落後台積電3奈米。
展望未來，法人認為，先進製程競爭正由單點技術轉向平台整合，GAA解決的是2奈米以下的transistor electrostatics問題，但之後仍有供電、互連、熱管理及封裝整合等更高階瓶頸。
英特爾將RibbonFET及PowerVia同時推上18A，代表押注整體平台躍升；三星雖最早導入GAA，但量產成熟度提升速度不如預期；台積電以2奈米先完成GAA導入，再以A16處理backside power，則是分步降低整合風險，目前2奈米良率佳，且仍預期A16將在2026下半年量產，最為穩健且成功率最高。
2026/04/27 14:03
轉載自聯合新聞網: https://udn.com/news/story/7251/9466941?from=udn-ch1_breaknews-1-99-news
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