應用材料公司（Applied Materials）宣布推出兩款瞄準埃米時代先進邏輯晶片的新型沉積系統，分別為 Precision™ 選擇性氮化矽電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）系統，以及 Trillium™ 原子層沉積（ALD）系統，鎖定2奈米及更先進節點的3D環繞式閘極（GAA）電晶體製造需求，協助客戶以原子級精度提升晶片效能與能源效率。
應材指出，隨著AI運算快速擴張，半導體產業持續突破微縮極限，先進邏輯製程已從傳統微影推進至以材料工程為核心的新階段。尤其GAA電晶體導入後，製程複雜度大幅攀升，單一元件內部3D結構涉及超過500道製程步驟，對材料沉積的精準度、重複性與控制能力提出更高要求。
其中，Precision™ 選擇性氮化矽PECVD系統，主要用於維持淺溝槽隔離（STI）結構完整性。應材表示，該系統採用由下而上的選擇性沉積方式，僅在隔離溝槽所需位置精準沉積氮化矽，可避免後續製程造成氧化矽隔離材料凹陷，進一步降低寄生電容與漏電問題，改善電晶體間不必要的電子干擾，提升晶片單位功耗效能表現。
另一款Endura™ Trillium™ ALD系統，則聚焦於GAA電晶體最關鍵的金屬閘極堆疊沉積。由於GAA結構中的矽奈米片間距僅約10奈米，若金屬堆疊包覆不均，將直接影響臨界電壓控制、功耗、可靠度與良率。應材表示，Trillium透過單一平台整合多道金屬沉積步驟，可在極小空間內實現埃米級厚度控制，讓晶片製造商更靈活調整不同電晶體的臨界電壓，滿足資料中心到邊緣AI運算等多元應用需求。
應用材料公司半導體產品事業群總裁帕布・若傑博士（Prabu Raja）表示，半導體產業正進入快速且非線性變化的新階段，單靠傳統微影微縮已不足以支撐最先進邏輯節點發展，材料已成為決定效能與功耗的核心。此次推出的新沉積系統，將協助客戶完成關鍵電晶體技術轉折，為AI運算基礎建設奠定重要基石。
應材並透露，Precision選擇性氮化矽PECVD系統與Trillium ALD系統目前都已獲領先晶圓代工與邏輯晶片製造商採用，應用於2奈米及更先進的GAA製程節點，顯示新一代材料沉積技術已正式進入先進邏輯量產競賽。
2026/04/14 11:54
轉載自聯合新聞網: https://udn.com/news/story/7240/9440468?from=udn-ch1_breaknews-1-99-news
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