大陸記憶體晶片巨擘長鑫存儲（CXMT）的展覽攤位。（美聯社）
大陸記憶體晶片巨擘長鑫存儲（CXMT）27日在上海證券交易所科創板上市，股價大漲465.82％，引發熱議。長鑫存儲用於個人電腦等的DRAM的產能居世界第4位，有預測稱，2026年底將逼近居第3位的美國美光科技。
據市場調查機構Counterpoint Research數據，今年第一季全球DRAM的市占率，排序為韓國三星電子38％、SK海力士29％、美光22％，長鑫科技為8％，較去年第一季約3％的市占率大幅擴大。
據《日本經濟新聞》報導，摩根士丹利在6月的報告中預測稱，長鑫存儲將在2023～2028年的5年間，增強每月為38萬8000張的DRAM產能（每個月可投入生產工序的晶圓數量），大陸企業占整個產業的市占率將從2023年的約18％，提高至2028年的約23％。
Counterpoint Research分析師黃明生（MS Hwang，音譯）於7月16日表示：「長鑫存儲的月產能到年末將超過30萬張，接近美光的水準」。
另一方面，《日本經濟新聞》說，長鑫存儲在技術方面與美光等大型企業仍存在差距。半導體晶片的電路越精細，越能以同樣大小的晶圓生產更多的存儲晶片。因此，要衡量競爭力，不僅要看產能，顯示1張晶圓能生產的存儲容量的「比特輸出量」也成為重要指標。
黃明生指出，「長鑫存儲採用了比最尖端企業落後2～3代的製造技術，比特輸出量與大型企業相比還有較大差距」。
三星電子、SK海力士和美光等3巨頭均採用被稱為「1c」的最新工序生產DRAM，而長鑫存儲則處於從被稱為「1a」的舊型向最新型過渡的階段，黃明生表示：「技術上落後2代，時間上落後3年」。
今後，長鑫存儲在微細化技術方面是否有可能追趕上美韓巨頭呢？《日本經濟新聞》指出，關鍵性因素在於尖端半導體製造中使用的極紫外（EUV）光刻設備。該設備由荷蘭半導體設備廠艾司摩爾（ASML）生產。
艾司摩爾的EUV光刻設備對大陸的出口管制正在加強，原因是美國政府針對半導體尖端技術所實施的對華出口管制。在管制加強的情況下，大陸半導體製造商將透過製造設備的國產化來抗衡。
半導體分析師吉姆．漢迪 （Jim Handy）注意到的一點是，長鑫存儲有來自德國的原DRAM製造商奇夢達（Qimonda）的技術人員，他們擁有設計和量產的經驗。漢迪表示：「擁有實際設計晶片並進行量產的經驗是優勢」，並指出長鑫存儲今後有可能在基於國產製造設備的微細化技術方面追趕上來。
在AI投資增加的背景下，全球DRAM價格在過去一年中漲至約6倍，推高了美光等美國半導體大企業的獲利。《日本經濟新聞》指出，如果長鑫存儲今後透過擴大生產規模引發DRAM價格下降，或者在技術方面奮起直追，這些都將對美國半導體產業形成衝擊。
2026/07/27 22:16
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260727003992-260408
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