Soo-kyoum Kim提到，記憶體不再是產業投入，產業已成為基礎設施，地位堪比能源、電信或交通運輸業，記憶體已經成為AI人工智慧發展與擴張的核心基礎設施。展望後續，儘管週期性特徵依舊存在，但其持續時間與策略重要性均已超越以往，故記憶體產業短缺折轉點將推遲一年至2028年下半年，隨後將出現溫和回檔，並非劇烈下跌態勢。
Soo-kyoum Kim直言，儘管即將有新晶圓廠投產，但技術瓶頸(如HBM)仍將限制儲存容量(bit)產出的成長。策略性的容量分配策略，著重於AI領域以及多年期長期供應協議LTA，意味著只有部分精選合作夥伴能夠獲得穩定的供應保障，尤其是在先進技術產品方面，且市場擔憂的地緣政治政策將限制記憶體買家取得貨源的管道。對於記憶體貨源方面，Soo-kyoum Kim總歸認為，記憶體產業的領導企業與追蹤者之間將出現明確的角色分工，由先進技術與成熟/低端技術的區分，以及AI伺服器與消費級市場的區分。對於晶片買家而言，簽訂長期供應協議LTA將成為必要之舉。
Soo-kyoum Kim最後表示，記憶體價格的上漲將逐漸放緩，而記憶體製造商持續保持的高利潤率，將對消費性系統製造商形成擠壓，促使其限制採購，演變成記憶體製造商將傾向於透過策略性控制位元(bit)供應量來主導價格走勢。
記憶體價格上，Soo-kyoum Kim提到，AI資料中心將進入新一波升級周期，推升記憶體需求，今年AI伺服器出貨需求擴大，排擠效應，DRAM短缺預估將在2027年底第四季達高峰，即使供給在2028年啟動，但需求強勁，難以完全滿足市場需求，使得短缺再推遲一年，預估2030年前DRAM需求仍持續雙位數成長，可望持續推升價格走勢。
Soo-kyoum Kim認為，DRAM市場規模今年預計達5000億美元，明年則將逼近1兆美元。並且在2028、2029年這段期間維持超過1兆美元的市場規模。
至於NAND方面，今年NAND新增產能相當有限，且短期整體位元需求增幅高於DRAM，不過後續HBM將帶動DRAM需求更加顯著，中長期NANDNAND價格漲勢將相對溫和。
2026/07/08 17:04
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260708003803-260410
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