台灣新聞通訊社-《半導體》聯電衝刺22奈米與先進封裝 新加坡廠續擴產

劉啟東指出,22奈米已成為公司目前最熱門製程,公司積極推動28奈米客戶升級至22奈米製程,與英特爾(Intel)合作的12奈米FinFET製程平台亦持續推進,目前雙方合作仍以12奈米為主,未來是否擴大合作,仍須建立在雙方互利基礎上。

劉啟東表示,聯電將先進封裝列為重要研發方向,希望在市場提供除了現有主流業者外的另一套方案。公司目前聚焦晶圓級封裝,以自家晶圓平台為核心,並採與客戶共同開發模式推進。

劉啟東指出,聯電矽中介層(interposer)產能目前已由3000片擴增至6000片,全數位於新加坡,現階段採55奈米製程,暫無導入28奈米規劃,後續擴產將朝新世代技術發展,新加坡及南科廠區均可能布建產能。

劉啟東表示,由於聯電並未投入先進晶片設計,因此先進封裝與矽光子等新技術布局,仍須高度仰賴客戶需求與合作,目前相關市場規模仍小,較大量產時程可能落在2027~2028年。

聯電新加坡廠目前月產能約1.2~1.3萬片,劉啟東表示今年規畫陸續啟動擴產,目標明年提升至1.8萬片,以22/28奈米及特殊製程為主力。而新加坡P4廠外殼已完成,未來包括矽光子、先進封裝等新技術皆可能落地。

劉啟東表示,新加坡生產成本雖高於台灣,但因地緣政治避險需求升溫,使許多客戶願意將新加坡作為第二來源據點。目前確切擴產時程尚未拍板定案,若後續時程確定,今年原先規畫的資本支出約15億美元有可能再調升。

2026/05/27 12:09

轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260527002115-260410