盧超群指出，全球半導體產值去年約為8800億美元，今年則有機會成長至1.3兆至1.4兆美元，成長幅度相當可觀。其中，記憶體扮演關鍵角色，尤其AI伺服器帶動HBM需求快速升溫，預期HBM在AI相關記憶體應用中的產值占比，將由目前約10%大幅提升至50%，成為推升DRAM產值與價格的重要動能。
針對近期DRAM價格走勢，盧超群表示，市場漲價並非單純短期炒作，而是供需結構出現改變。隨著先進邏輯製程技術導入記憶體底層設計，包括4奈米、5奈米等先進製程元素逐步進入DRAM架構，使產品複雜度、成本與價值同步提高，因此目前DRAM價格維持在相對合理水準。他也指出，近期DRAM價格每月漲幅約10%至20%，預期到第三季末漲勢可能逐步趨緩，但整體市場仍維持正向。
盧超群進一步分析，記憶體缺貨已不只是短期庫存調整，而是結構性供需變化。由於三大國際記憶體廠將更多產能轉向HBM與高階DDR5，傳統DDR4與部分DDR5供給受到排擠，預估相關缺貨情況最快要到明年中後才可能逐步緩解。在此情況下，台灣記憶體設計業者有機會迎來新的發展契機。
2026/05/12 13:09
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260512002482-260410
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