據傳SK海力士的第六代高頻寬記憶體「HBM4」，將改採3奈米製程，並使用台積電技術。路透
南韓媒體3日引述半導體業消息人士報導，SK海力士（SK Hynix）的第六代高頻寬記憶體「HBM4」，將改採3奈米製程，並使用台積電技術，預定明年下半年供貨。
韓國經濟日報報導，SK海力士原本打算用5奈米製程，生產客製化的HBM4，但主要客戶要求供應更先進的記憶體，SK海力士於是改用3奈米製程，預計2025年下半給出貨給輝達（Nvidia）。目前輝達的繪圖處理器（GPU）產品，以4奈米HBM晶片為基礎。
據傳SK海力士在3月發布的HBM4晶片原型，是在3奈米基礎裸晶（base die）上垂直堆疊。相較於5奈米裸晶，堆疊在3奈米基礎裸晶上的HBM，效能料可提高20%~30%。但SK海力士的一般型HBM4和HBM4E，將與台積攜手採用12奈米製程。
SK海力士生產的第五代HBM「HBM3E」，使用自家基礎裸晶，但HBM4決定採用台積電技術。台積量產的3奈米記憶體晶片，已用於蘋果iPhone和蘋果筆電MacBooks。
SK海力士已掌握全球約半數HBM市場，多數HBM均銷往輝達。該公司HBM4採3奈米基礎裸晶，將進一步拉大領先三星電子的差距，三星計劃用4奈米製程生產HBM4。
SK集團會長崔泰源11月表示，輝達執行長黃仁勳要求他提前六個月供應12層HBM4，SK海力士原定2026年初供貨。
2024/12/03 19:12
轉載自聯合新聞網: https://udn.com/news/story/6811/8401471?from=udn-ch1_breaknews-1-99-news
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