陳麗珠／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕韓媒指出，中國憑藉龐大國內市場、政府補助，以及低廉的價格，正在撼動長期由韓國、台灣和美國主導的半導體市場，這股趨勢可能改變整個市場結構。專家更示警，中國擴大DRAM產能是韓國半導體公司最大威脅之一。
韓媒《Pulse》報導，中國晶片商取得顯著進步，先進半導體也是如此，尤其中芯國際今年第3季獲利創歷史新高，營收較去（2023）年同期成長34%至21.7億美元（約新台幣707億元），營業利潤飆升94%至1.699億美元（約新台幣55億元）。
除了在營收部分有極大進步之外，長鑫存儲、福建晉華等中國DRAM大廠正積極降低DDR4價格，提供比三星（Ssmsung）、SK海力士便宜50%價格的記憶體晶片。
中國企業還拚命挖角韓國和台灣頂尖人才，成均館大學教授Kwon Seok-joon指出，台積電（2330）將中芯國際視為主要競爭對手，因許多主要研發和工程師都被挖角到中芯國際。
報導指出，儘管面對美國制裁，中芯國際仍成功推出7奈米製程，雖然良率問題仍大，先進製程進度也落後韓國和台灣，但對於1間2000年才成立的公司來說，技術差距已明顯縮小。
Kwon Seok-joon預測，10年內以中芯國際為首的中國晶圓代工產業，10奈米以上製程和中階製程市占率將成長1、2倍，而若中國政府有持續補助，中芯國際可能有機會在2030年代中期與台積電抗衡。
報導指出，中芯國際不只在晶圓代工事業上發展，還在記憶體生產方面快速成長，緊追美光、三星。
中芯國際2018年成立記憶體子公司Semiconductor Global Solutions（SGS），並從三星和SK海力士招攬許多工程師，正在浦東和寧波加速DRAM開發。
研調機構TrendForce數據顯示，全球晶圓代工市場，台積電市占率62.3%，其次是三星11.5%，第3是中芯國際5.7%。
記憶體產業部分，中國廠商在DDR4上佔據主導市場，同時推動DDR5量產；長鑫存儲專注低階記憶體，如17至18奈米DDR及低功耗LPDDR4X，快速擴大生產規模。
摩根士丹利（Morgan Stanley）資料顯示，長鑫存儲晶圓月產能自2020年4萬片增加到2024年20萬片，預計今年全球DRAM市占突破10%。
業界人士預估，長鑫存儲與三星技術差距為1.5年或更短，長江存儲和其他NAND公司也與市場領導者差距縮小到1年內；另1位業界人士則認為，長鑫存儲明年產能確實與美光相當。
延世大學教授Kim Hyun-jae示警，中國擴大DRAM產能是韓國半導體公司最大的威脅之一。
業界擔心中國大量補助低成本晶片，恐造成市場混亂，尤其消費性電子產品、汽車和工業設備用的傳統半導體，占全球半導體需求75%。業界人士指出，為降低成本，業者對中國的晶片需求越來越大的趨勢，可能改變整個市場結構。
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2024/11/24 08:01
轉載自自由時報電子報: https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4872666
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