〔記者洪友芳／新竹報導〕研調機構集邦科技指出，展望2025年，先進製程與AI推動下，半導體技術將迎來革新，台積電、英特爾與三星將正式轉進閘極全環電晶體（GAAFET）架構競賽，台積電將量產2奈米，英特爾18A、三星3奈米製程也力拚2025年實現規模量產。
集邦科技表示，半導體晶圓廠前段製程發展至7奈米製程，開始導入極紫外光微影（EUV）微影技術後，鰭式場效電晶體（FinFET）結構自3奈米開始逐漸面臨物理極限，先進製程技術自此出現分歧。
台積電及英特爾延續FinFET結構，於2023年量產3奈米產品；三星雖嘗試由3奈米率先導入基於閘極全環電晶體（GAAFET）的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構 ，並於2022年正式量產，但至今未放量。
進入2025年後，台積電在2奈米將正式轉進奈米片（nanosheet）電晶體架構，英特爾18A則導入帶式場效電晶體（RibbonFET），三星仍致力改善MBCFET的3奈米製程，力拚2025年實現規模量產。
2025年台積電、英特爾與三星三大廠，將正式轉進GAAFET架構競賽，盼藉由四面接觸有效控制閘極，為客戶帶來更高效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。
此外，AI應用帶動客製化晶片及封裝面積的需求日益提升，同步推升2025年CoWoS需求。觀察明年CoWoS市場重要發展態勢，包括三方向，首先是2025年輝達對台積電CoWoS需求占比將提升到近60%，並驅動台積電CoWoS月產能到年底接近翻倍，達7.5~8萬片。
其次，輝達的Blackwell新平台將於2025年上半逐步放量，這將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60%。
第三是雲端服務供應商（CSP）積極投入ASIC AI晶片建置，亞馬遜雲端運算服務（AWS）等業者，2025年對CoWoS需求量也將明顯上升。
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2024/11/21 16:39
轉載自自由時報電子報: https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4870958
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