陳麗珠／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕韓媒披露，三星電子二代3奈米製程（SF3-3GAP）目前良率只有20%左右，未能達到輝達及高通等主要潛在客戶提出良率70%的要求，使得三星無法在最先進製程與台積電競爭。
《Sisa Journal e》報導，三星算是IDM（整合元件）廠商，三星DS（半導體事業暨裝置解決方案事業部 ）的三大業務記憶體、系統 LSI邏輯晶片設計、Foundry晶圓代工環環相扣，三星原本以為可以吸引外部客戶選擇三星邏輯代工、HBM（高頻寬記憶體）及先進封裝的一站式解決方案，並帶動自家儲存業務部的先進HBM記憶體，可惜三星並未實現良性循環，以至於半導體業務陷入危機。
報導指出，三星電子第一、二代3奈米製程目前良率分別為60%、20%，無法達到高通、輝達等主要潛在客戶提出良率70%要求，造成三星無法在最先進製程與台積電競爭，晶圓代工業務與台積電的差距進一步拉大，最終選擇推遲新廠投資。
即使三星第一代3奈米製程技術表現稍微好一點，也沒有引起市場潛在客戶的興趣，其唯一的客戶是加密貨幣 ASIC 製造商。
為了挽救危機，三星電子今年5月就無預警在年中更換DS部門負責人，由全永賢接替慶桂顯。韓媒預期，三星DS部門將在集團年度管理階層調整中，將會再迎來高階主管大洗牌，三大業務的負責人恐全數更換。
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2024/11/09 08:14
轉載自自由時報電子報: https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4857055
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