台灣新聞通訊社-安森美攜手格羅方德開發下一代氮化鎵功率元件

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安森美宣布與格羅方德簽署合作協定。圖為安森美總部外觀。圖/取自芯智訊

安森美（onsemi）今日宣布，已與格羅方德（GlobalFoundries，簡稱GF）簽署合作協定。雙方將基於格羅方德最先進的200毫米增強型矽基GaN工藝，共同研發並製造先進GaN功率產品，首款產品為650V元件。此次合作將加速安森美高性能GaN元件及整合功率級的技術路線圖，透過擴充高壓產品群，滿足AI資料中心、電動汽車、可再生能源、工業系統以及航空航太等領域日益增加的功率需求。

安森美並宣布將2026年上半年開始提供樣品，並快速擴大至量產規模。

安森美企業戰略高級副總裁Dinesh Ramanathan表示，此次合作將安森美的系統及產品專業知識，與格羅方德先進的GaN工藝相結合，為高成長市場打造全新650V功率元件。這些GaN產品搭配矽基驅動器和控制器，將助力客戶實現創新，為AI資料中心、電動汽車、航太應用等場景構建更小、更高能效的功率系統。

格羅方德首席商務官Mike Hogan說，安森美為關鍵合作夥伴，雙方將持續推動GaN半導體技術升級，滿足人工智慧、電氣化和可持續能源領域不斷演變的需求。

安森美將其領先業界的矽基驅動器、控制器和強化散熱封裝技術，與格羅方德的650V GaN技術平台相結合，打造出更高功率密度和能效的GaN元件。產品應用場景具體包括：AI資料中心電源及其DC-DC轉換器、電動汽車車載充電機及其DC-DC轉換器、微型光伏逆變器和儲能系統，以及工業與航空航太領域的電機驅動器和DC-DC轉換器等。