華為公司三年前申請的一項專利，據悉不需極紫外光（EUV）微影設備，就可達到相當於2奈米製程的技術水準，引發業界高度關注。路透
南華早報報導，華為公司三年前申請的一項專利，不需極紫外光（EUV）微影設備，就可達到相當於2奈米製程的技術水準，使外界對該廠在先進晶片領域可能取得突破的揣測升溫，也意味華為可能找到因應美國制裁的破口。
華為正在申請一項透過深紫外光（DUV）設備支援「金屬間距小於21奈米」的金屬整合技術，該技術是製造2奈米等級晶片的必要條件，也提供了一條利用較舊的DUV技術支援2奈米製程的技術路徑，繞過美國對中國大陸取得艾司摩爾（ASML）最先進EUV設備的封鎖。
華為目前使用類似自對準四重圖案化（SAQP），利用高階的間隙壁圖案化（spacer-defined patterning）的方案，輔以雙重硬遮罩材料，以打造兩組交織的金屬線，降低對超緊密微影疊對的依賴。
一名中國資深業界人士表示，14奈米邏輯晶片若能結合先進記憶體與新型架構，效能可望媲美輝達（Nvidia）的4奈米晶片。這項專利也因為可能突破關鍵技術門檻，創造出追上台積電（TSMC）2奈米製程的可能性，引起業界關注。
中國國家知識產權局年初公布的專利文件顯示，華為最初於2022年6月提出這項專利申請，目前仍待審查，也沒有證據顯示該技術已落地。此外，仍有待觀察的是，這種步驟遠多於EUV微影技術的方法是否可行，並能在量產中達到具商業可行性的良率。
2025/12/05 17:58
轉載自聯合新聞網: https://udn.com/news/story/7333/9184903?from=udn-ch1_breaknews-1-99-news
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