吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕外媒TECHSPOT報導，台積電透過高數值孔徑極紫外（High NA EUV）微影曝光機投資，已經為下一代晶片製造做好準備，並持續保持業界領先地位。
台積電對EUV和高數值孔徑EUV技術的投資，可望塑造半導體製造的未來前景，這些巨額投資將使晶片的生產變得越來越強大和高效，適用於廣泛的應用。
另根據《韓國商報》報導，台積電預計將於2024年9月從荷蘭製造商ASML接收其首個高數值孔徑極紫外線曝光系統「EXE:5000」。雖然媒體報告對確切的交付日期各不相同，有媒體指出將在今年年底前安裝在台積電的新竹研發中心，但確切的時間表並不重要，重要的是更廣泛的影響力。
關鍵要點是台積電對這項尖端技術不斷變化的立場。該公司最初持謹慎態度，現在已全面採用高NA EUV曝光機技術，以保持其在競爭激烈的晶片行業中的領先地位。採用高NA EUV掃描儀對於台積電開發2奈米製程至關重要。這些先進的系統將數值孔徑從0.33增加到0.55，從而在半導體晶圓上實現更高解析度和更精確的圖案化。
台積電計畫將高數值孔徑EUV掃描儀納入其1.4奈米 （A14） 製程中，該製程計劃於2027年進入量產。然而，這些先進的曝光機系統不會立即投入運作。在將其整合到大批量生產中之前，需要進行嚴格的測試、微調和製程優化。
當這些系統全面投入運作時，台積電預計將發展到其A10製程，這代表著超越其當前能力的幾代技術。此時間表與台積電推進晶片製造流程的更廣泛路線圖一致。
每個高數值孔徑EUV系統的價格都很高，約3.84億美元。儘管如此，台積電在高數值孔徑EUV方面的技術領先地位，預計將吸引更多尋求尖端晶片製造能力的高端客戶。這可能會進一步拉大台積電與其競爭對手之間的差距。
台積電已經憑藉目前的EUV技術奠定堅實的基礎。該公司2019年正式開始採用EUV，推出了N7+製程，標誌著業界首個商用EUV技術。此後，台積電迅速擴大其EUV 能力，EUV系統在2019年至2023年間成長了十倍。
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2024/11/18 15:22
轉載自自由時報電子報: https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4866521
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