吳孟峰／核稿編輯
〔財經頻道／綜合報導〕美國商務部指出，政府投資價值約8.25億美元（約新台幣262億元）研究中心，以開發下一代極紫外光（EUV）製程技術，挑戰荷蘭產業領導者艾司摩爾 （ASML）。
報導指出，美國政府支助價值8.25億美元的EUV曝光設備將設於阿爾巴尼奈米科技綜合園區（Albany NanoTech Complex），成為首個「為美國晶片而生」（CHIPS for America）計畫的研發旗艦中心，並將獲得額外使用者資金。
據報導，半導體設備商應材（Applied Materials）預計將成為主要參與者之一，以直接與ASML競爭
ASML在今年6月與比利時的微電子研究中心（Interuniversity Microelectronics Centre；imec）合作，開設類似實驗室。
EUV設備將專注開發最先進的高數值孔徑EUV（High-NA EUV）研發。美國表示，EUV曝光技術已成為達成7奈米以下電晶體大量生產的關鍵技術，包括台積電等主要晶片製造商都採取相關技術。
美國政府表示，獲得EUV曝光設備的研發，對於擴大美國的技術領先地位、減少原型設計的時間，以及成本、建立和維持半導體勞動力生態系統至關重要。
報導指出，美國國家半導體技術中心（NTSC）及母組織Natcast成員將於明年獲得標準EUV曝光設備的使用權，並於後年獲得高數值孔徑曝光機的使用權。
ASML已向英特爾提供高數值孔徑EUV機器。
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2024/11/04 15:00
轉載自自由時報電子報: https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4851721
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