〔記者洪友芳／新竹報導〕碳化矽（SiC）長晶廠格棋化合物半導體公司，斥資新台幣6億元建中壢新廠，今（23）日舉行中壢新廠落成典禮，並宣布與中科院合作，雙方將共同強化在高頻通訊技術領域的應用，另與日本三菱綜合材料商貿株式會社簽署合作協議，雙方將致力於擴大日本民生用品和車用市場的佈局。
格棋成立於2022年，專注於化合物半導體長晶等技術開發，中壢新廠預計2024年第四季達到滿載生產，其中，6吋碳化矽晶片月產能規劃達5千片，到今年底將安裝20台8吋長晶爐及100台6吋長晶爐，大幅提升整體產能，新廠共可提供超過50個就業機會。
格棋董事長張忠傑表示，中壢新廠落成是公司發展的重要里程碑。格棋將持續投資先進設備與技術，以滿足日益成長的市場需求，鞏固全球碳化矽供應鏈中的關鍵地位。
因應全球ESG趨勢，格棋中壢新廠規劃導入能源管理系統及儲能系統，並整合再生能源系統，透過削峰填谷方式平衡能源需求，減少高峰時段的能源負荷，進一步降低能源成本及碳排放。
在新廠落成之際，格棋宣布與中科院簽署合作協議，雙方將共同開發高頻通訊用碳化矽元件，加速進軍高頻通訊碳化矽市場的腳步，為5G/B5G通訊基礎建設提供關鍵元件。中科院院長李世強指出，隨著通訊頻段不斷提高，具有高電子遷移率的化合物半導體元件逐漸取代傳統矽基高頻元件。期待與格棋的合作能為台灣在高頻通訊領域帶來突破性進展，強化國家在全球通訊產業鏈中的戰略地位。
此外，格棋也宣布與三菱綜合材料商貿簽署合作協議，將由三菱綜合材料商貿向日系客戶提供6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）磊晶片（EPI Wafer）材料，格棋負責整合台灣合作夥伴資源，向日本客戶供應6吋和8吋晶錠（INGOT）、晶圓（Wafer）與磊晶片（EPI Wafer）。
三菱綜合材料商貿社長橋本良作表示，台灣和日本在半導體產業皆具關鍵影響力。看好碳化矽元件在日本市場的發展前景，相信與格棋的合作將為雙方帶來互利共贏的機會。
格棋擁有碳化矽晶體成長技術，供應客戶碳化矽晶圓，技術長葉國偉強調，碳化矽半導體憑藉高效、高頻和耐高溫等特性，在電動車、混合動力車及5G通訊等領域有著廣泛應用。隨著技術日益成熟，成本逐漸下降，市場需求快速增長。公司目標是透過持續創新，鞏固公司在全球碳化矽供應鏈中的核心地位。
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2024/10/23 18:07
轉載自自由時報電子報: https://ec.ltn.com.tw/article/breakingnews/4839942
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