華為麒麟9030 採用中芯N+3 製程，這是大陸目前最先進的半導體製程。（示意圖：shutterstock/達志）
華為新一代旗艦處理器麒麟9030，成為全球半導體技術關注焦點，SemiAnalysis最新拆解報告指出，中芯國際N+3製程已在密度上逼近台積電N6，展現大陸半導體技術持續進步；然而，若從效能、功耗、良率及先進製程架構等面向檢視，與台積電及英特爾仍有數年的技術落差。
報告指出，麒麟9030採用中芯國際N+3製程，屬於7奈米製程的進階版本，在電晶體密度上已接近台積電N6製程，此晶片的線寬也比英特爾18A更窄。然而，線寬縮小並不代表整體製程更先進，也無法直接反映晶片效能、功耗與良率。
SemiAnalysis同時拆解採用台積電N6製程的聯發科Helio G99作為比較基準，分析顯示，中芯N+3能夠達到接近EUV製程的密度，主要依靠兩項技術，包括多重圖案化與設計技術協同最佳化。其中，多重圖案化雖可突破DUV微影設備的限制，但每增加一道製程就意味著更多光罩、更高對位誤差風險、更高成本及更低良率；DTCO則透過同步優化晶片設計與製程回收面積，卻也讓電晶體設計更複雜、更難控制，在這種架構下，密度可以提升，但速度、功耗與效率卻難以同步改善。
SemiAnalysis評估，麒麟9030 Pro的整體效能約相當於三年前Android旗艦晶片的水準，顯示大陸半導體與國際領先業者仍存在明顯差距。
若與英特爾18A製程相比，報告指出，18A雖然理論上可達與N+3相近的金屬間距，但英特爾可依需求採用更寬鬆的設計，以提升良率、降低成本，並搭配背面供電（Backside Power Delivery）等先進技術，提供更大的設計彈性，這些都是中芯目前尚未具備的能力。
SemiAnalysis 最後預估，中芯N+4有望接近台積電N5的密度，N+5若再導入背面供電，理論上可望逼近英特爾18A的密度水準，不過，隨著製程持續微縮，技術難度、成本與良率挑戰都將持續升高。
2026/07/24 16:07
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260724001974-260410
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