研調機構指出，高頻寬記憶體（HBM）的產能擠壓，已經影響到DDR2的合約價，第3季恐再推升40％漲幅。（示意圖／報系資料照）
研調機構TrendForce 22日指出，全球記憶體大廠將產能調往HBM與伺服器DRAM，導致消費型DRAM（Consumer DRAM）供給出現結構性緊縮，缺貨壓力一路向下傳導，預估2026年第2季DDR2合約價漲幅達55至60％後，第3季將再進一步上漲35至40％。
報告指出，三星、SK海力士及美光等3大原廠因應AI需求將產能向先進製程傾斜，縮減DDR4等成熟製程投片，迫使需求端轉向南亞科、華邦電等台廠尋求支援。在訂單遠超可供應量的情況下，台廠議價優勢增強，策略上縮減低毛利產品投片以改善獲利。
下游品牌廠與代工廠（ODM）為控制成本則下修規格，出現自DDR4降規採DDR3，或自DDR3再降規改採DDR2的現象，嘗試以舊製程爭取配額；目前供應格局上，華邦電正逐步退出DDR2生產，將產能轉投DDR3或LPDDR4等高毛利品項，這將加劇DDR2緊缺市況；晶豪科則計畫在力積電既有產能內集中生產DDR2，藉此補足市場缺口並極大化獲利。
業內人士分析，舊世代記憶體暴漲看似不合常理，但AI浪潮讓HBM供不應求、利潤極高，原廠勢必將資源全數押注於此，進而對成熟製程產生嚴重的「排擠效應」。下游機上盒、路由器等消費性電子廠商面對晶圓成本暴漲，為了維持利潤並確保產品順利出貨，被迫採取「規格倒退」策略改採DDR2，這才引爆了舊世代顆粒的結構性搶貨潮。
隨著第3季合約價漲勢確立，特殊型記憶體台廠的議價話語權將持續放大，短期內舊世代產品緊缺的市況仍難以緩解。
2026/06/22 15:08
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260622002499-260410
Post gallery
