SK海力士緊追三星電子開發新一代高頻寬記憶體（HBM）HBM4E。圖為SK海力士的HBM3。路透
南韓晶片製造商SK海力士發布新聞稿說，已向主要客戶交付用於新一代AI的DRAM12層「HBM4E」樣本。
SK海力士承諾將和合作夥伴密切合作，按計畫及時量產。
SK海力士說， 透過效能和效率提升，單一針腳（pin）最高傳輸速度可達16Gbps。晶片採用先進MR-MUF封裝技術，熱阻降低17%，穩定性也獲得提升。
SK海力士的對手三星電子5月底已搶先向客戶提供業界最先進的記憶晶片樣本，在供應輝達（NVIDIA）在內晶片設計商 AI加速器的關鍵零組件的競賽中，搶占先機。
三星電子當時表示，已開始將12層HBM4E送樣給主要客戶。這里程碑凸顯三星電子在高頻寬記憶體（HBM）市場發展迅速。
2026/06/18 08:43
轉載自聯合新聞網: https://udn.com/news/story/6811/9573677?from=udn-ch1_breaknews-1-99-news
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