研究團隊在本周舉行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路（VLSI）技術與電路研討會中指出，此次成果取得良好的電流-電壓特性，展現2D材料電晶體從實驗室邁向晶圓廠的關鍵進展，預期用於超高度微縮化的邏輯元件及後段製程、晶背應用。
imec表示，2D過渡金屬二硫族化物（TMD）具備原子級超薄通道特性，有望接棒取代矽材料，延伸並擴展邏輯微縮技術發展藍圖，支援更高密度邏輯元件、後段製程及晶背供電等先進半導體技術發展，但過去缺乏可導入量產的12吋晶圓整合技術路徑。
此次三方共同發表的創新整合方法，採用近似互補式金屬氧化物半導體（CMOS）的整合方法，可於單一12吋晶圓整合基於TMD的nFET與pFET元件，達到高達94％的可操作電晶體，驗證製程具穩健性及穩定性，並可延伸應用至其他2D通道材料。
imec運算暨記憶體元件技術研發副總裁Gouri Sankar Kar表示，imec已與合作夥伴共同建立一套12吋晶圓測試平台，針對具備產業相關元件尺寸的2D材料進行研究，並廣邀半導體生態系統攜手合作，以驅動這種新型通道材料和元件的性能升級。
台積電副總暨技術長曹敏表示，此次三方合作研究為推進半導體創新發展提供重要動力，有助降低新通道材料從實驗室導入晶圓廠的技術風險，加速創新成果整合至先進製造流程，推動次世代半導體技術發展。
ASML歐洲技術開發中心總監Etienne De Poortere則指出，2D過渡金屬二硫族化物（TMD）材料可望實現更小尺寸、更高性能的電晶體，受惠EUV微影的高解析度能力，團隊成功製作通道長度短至28奈米的TMD電晶體，間距亦與最先進電晶體節點相容。
2026/06/16 17:01
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260616003468-260410
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