大陸成功研發「奈米壓印」技術，聲稱無需ASML曝光機就可量產晶片。（示意圖/達志影像/shutterstock）
大陸半導體新創璞璘科技（Prinano）日前宣布，成功利用自主研發的奈米壓印技術，在8吋矽晶圓上完成光子晶片量產驗證。該製程完全無需使用艾司摩爾（ASML）的深紫外光曝光機（DUV），宣稱製造成本僅為傳統DUV方案的十分之一。然而研究機構指出，該技術在產量、良率以及非光子晶片領域的實際應用價值，目前在業界仍存在爭議，其商業化規模有待進一步觀察。
據快科技報導，璞璘科技本次技術突破的核心，在於其自主研發的「PL-AS 真空氣壓式晶圓級奈米壓印光刻設備」，並搭配客製化雙層壓印膠材料與製程。有別於傳統的輥壓線接觸或佳能（Canon）的噴墨步進式路線，該設備採用「空氣墊」面接觸壓印原理，可將晶圓整面壓力均勻性誤差控制在 0.5% 以內，殘餘層厚度偏差小於2奈米，線寬解像度則可達10奈米以下。
這項奈米壓印技術的優勢在於能讓跨尺度微奈米結構一次成型。傳統DUV微影在製造光晶片時，面對數十奈米到數微米的複雜結構，需要多道製程與多台設備配合；而奈米壓印只需將結構製作在同一片模板上，透過一次壓印即可完成複刻，藉此縮短生產週期並降低了良率損耗。目前該技術已在光通訊、感應及雷達等多個光晶片領域完成量產驗證。
《南華早報》指出，由於ASML的部分DUV曝光機及更先進的極紫外線（EUV）設備已被禁止出口到中國大陸，此技術進展為大陸晶片製造廠提供一條替代路徑。不過，研究機構SemiAnalysis表示，儘管奈米壓印設備成本較低，但其實際成本優勢仍取決於產能、模板生產、缺陷率和製程整合能力，短期內仍難以取代DUV和EUV在先進邏輯晶片製造中的主導地位。
此外，璞璘科技目前並未揭露具體的生產良率、出貨量、客戶訂單或獨立驗證數據，其商業化規模仍有待進一步觀察。
這次的技術突破反映出在美國主導的出口管制下，大陸科技企業正擴大探索替代技術路線。從華為近期提出「韜（τ）定律」，將發展重心從電晶體微縮轉向系統級數據傳輸、先進封裝與三維整合，到各類設備新創企業在專業晶片領域尋找實用的製造替代方案，大陸半導體產業正透過多條路徑試圖突破技術封鎖。
2026/06/13 14:12
轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260613002062-260410
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