華邦電（2344）1日依規定公布相關財務業務等重大訊息，以利投資人區別瞭解，4月營收192.45億元、年增182.23%； 稅前淨利93.46億元、年增9086.54%；稅後淨利74.88億元、年增21608.78%；每股稅後盈餘1.66元、年增21608.78%。受惠AI伺服器、邊緣運算及高效能運算需求持續成長，利基型記憶體市場供需結構明顯改善。法人指出，在DDR3、DDR4以及NOR Flash、NAND Flash等成熟製程產品供給持續收縮下，報價維持上升趨勢，帶動華邦電（2344）營運表現顯著成長，維持「買進」評等，並將目標價調升至234元。
法人表示，AI應用推升高容量與高效能記憶體需求，華邦電近期客戶訂單動能強勁，甚至主動洽談長期合作協議，反映市場對利基型記憶體需求持續升溫。由於供給端快速收縮，產品平均售價（ASP）漲幅明顯高於成本增幅，有助於毛利率進一步提升。
美光升級無礙DDR4漲勢：首季報價上揚帶動毛利飆破53%，單季EPS達2.25元
市場近期關注美光宣布將擴建美國維吉尼亞州Manassas廠區DRAM產能，部分投資人擔憂DDR4供給增加。不過法人分析，此計畫主要為既有廠區現代化升級，並非新建DDR4產能，同時美光也持續縮減亞洲地區DDR4供給，因此整體全球DDR4供給仍呈下降趨勢，目前供需結構仍有利價格維持高檔。
受惠報價上漲效應，華邦電第一季營收達382.53億元，季增43.67%，毛利率攀升至53.4%，較前一季提升約11個百分點。其中記憶體事業毛利率由去年第四季的43.3%大幅提升至56.6%，帶動單季每股純益（EPS）達2.25元。
搶攻邊緣AI與矽電容商機：CUBE架構投資73億，2026年EPS上看23.42元
除既有記憶體業務外，華邦電也積極布局邊緣AI市場。董事會今年5月通過額外73億元投資計畫，將投入客製化超高頻寬記憶體（CUBE）及相關封裝設備建置，目標於2027年開始量產。法人指出，CUBE架構整合DRAM、矽中介層（Silicon Interposer）及矽電容（Si-Cap）等元件，透過2.5D及3D先進封裝技術提升頻寬與效能，可望切入未來AI運算及高效能運算市場。此外，市場近期也傳出華邦電與三星電機（SEMCO）在矽電容領域展開合作。法人分析，隨高頻高速運算需求增加，矽電容有望成為先進封裝重要元件之一，未來實際營收貢獻仍須視客戶導入進度與市場需求而定。
在資本支出方面，華邦電今年資本支出預估達405億元，雖部分設備投資將遞延至2027年，但整體擴產方向不變。法人預估，在記憶體價格維持高檔及高階產品比重提升帶動下，華邦電2026年每股純益可望達23.42元，後續營運成長動能仍值得關注。
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2026/06/04 02:00
轉載自三立新聞網: https://www.setn.com//News.aspx?NewsID=1849726&utm_campaign=viewallnews
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