華邦電（2344）4月自結歸屬母公司稅後淨利74.88億元，年增21,608%，每股獲利（EPS）1.66元，已達到第1季獲利74%；法人機構表示，短線記憶體供需結構仍有利報價維持高檔，有利華邦電營運後市。
分析師表示，華邦電CUBE架構是將DRAM、矽中介層與矽電容進行2.5D∕3D先進封裝整合，市場近期傳出三星電機（SEMCO）找華邦電合作矽電容。原本傳統高密度DRAM的底層晶體管是由無數個「3D深溝槽∕堆疊電容」組成，跨入矽電容門檻低，但目前每片wafer單價低於DRAM，因此矽電容的營收占比，要視客戶需求，以及記憶體廠的策略而定。
AI需求推升高容量與高效能記憶體需求，短期供給收縮亦帶動利基型DRAM∕NAND價格顯著上行，使產業供需結構改善。華邦電客戶的訂單動能強，主動洽談長期合作，反映出對利基型DRAM需求強勁，Flash需求亦同步回溫，市場估華邦電今年EPS為19.6元。
另外，美光日前發布維吉尼亞州Manassas廠1αDRAM將在2026年底投產消息，不過這並不是新建DDR4廠，而是對已營運近20年以上的既有美國記憶體fab進行現代化升級與擴產，可能將同步縮減台灣等亞洲DDR4的產能，因此美光全球DDR4供給是減少，目前供需結構仍有利報價維持高檔，有利華邦電近期營運表現。
2026/06/02 09:36
轉載自聯合新聞網: https://udn.com/news/story/7253/9539895?from=udn-ch1_breaknews-1-99-news
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