台灣新聞通訊社-《半導體》2026半導體業穩健成長 世界先進優於平均

世界先進董事長暨策略長方略表示,半導體對先進與成熟製程整體需求仍在,由於AI需求非常強,應可較期待2026年半導體業能穩健成長,雖須觀察下半年美伊戰爭、能源價格與通膨回溫等因素影響,但若影響未明顯惡化,全年景氣展望仍偏正向。

其中,世界先進營運受惠AI與高效運算(HPC)伺服器相關需求快速成長,2026年相關營收已較2025年成長近2倍,營收占比由低個位數提升至雙位數,預期下半年需求動能持續,相關應用成長趨勢可望延續至2027年,成為重要成長動力來源。

平均(ASP)售價方面,世界先進指出,上半年已與客戶協商進行部分調價,第二季平均售價預估季增2~4%、中位數為3%,主要均是反應調價效益。由於市場變數持續變動,且公司持續投資8吋及12吋產能,將視市場供需、成本變化及通膨壓力持續與客戶協商。

對於新加坡VSMC 12吋晶圓廠影響,財務長暨發言人黃惠蘭指出,預計2027~2028年進入產能爬坡期,對整體毛利率將形成較大壓力,至2029年達月產能4.4萬片滿載後,影響將逐步降低。由於產能規畫調整,目前評估對毛利率的負面影響較先前預期少一些。

化合物半導體方面,尉濟時指出,世界先進的氮化鎵(GaN)布局分為矽基氮化鎵(GaN-on-Si)與新基底功率氮化鎵(GaN-on-QST),前者主要應用於100V以下低壓領域,已量產一段時間並支應多項新興應用,相關營收成長展望正向。

而後者則鎖定650V至1200V高壓市場,最新世代GaN II已完成認證並進入量產,開始承接客戶訂單。同時,650V矽基氮化鎵產品正自台積電進行技轉,相關製程導入持續推進中,預期將於2027年下半年進入量產階段。

碳化矽(SiC)方面,尉濟時表示產線建置持續推進,試產線已於4月大致完成,目前進入試產階段,與策略合作伙伴漢磊密密切合作,由其提供部分產品進行試產,初期鎖定IDM客戶導入,後續再拓展至IC設計公司,預期2026年底應可進入驗證階段。

2026/05/05 16:42

轉載自中時新聞網: https://www.chinatimes.com/realtimenews/20260505003462-260410