受AI應用快速擴展帶動，記憶體產業進入新一輪成長周期。法人指出，隨資料存取量持續攀升，記憶體已成為AI基礎架構的核心資源，其中高頻寬、大容量、低延遲的DRAM，以及支撐高速資料流動的NAND Flash需求同步強勁。根據TrendForce預估，2026年全球DRAM與NAND Flash產值將分別達4,043億美元與1,473億美元，年增率高達144%與111%，雙雙創下歷史新高。
美光證實供需高度吃緊：記憶體躍升戰略物資 簽署五年長約固樁
記憶體大廠Micron Technology於3月18日法說會指出，AI發展已將記憶體提升為戰略性資源，目前供給僅能滿足客戶約一半至三分之二需求，顯示市場供需仍高度吃緊。公司並透露已與客戶簽訂為期五年的策略性協議（SCA），強化研發合作與訂單能見度。法人預估，在AI需求驅動下，2026年DRAM與NAND位元供給成長率將分別落在約20%以上水準。
三星工會罷工牽動供給：短期實質影響有限 心理預期加劇缺貨恐慌
另一方面，Samsung Electronics工會日前通過5月發動罷工提案，若勞資協商未果，將進行為期18天的行動。法人認為，短期對供給影響有限，但已對市場形成心理層面的供給緊縮預期；若罷工成真，恐影響生產與出貨節奏，進一步加劇市場缺貨情況。
終端消費動能藏隱憂：成本上漲施壓 手機與 PC 出貨量恐臨衰退
不過，法人也提醒，記憶體產業仍面臨多項不確定因素，包括AI資本支出是否出現調整、終端消費需求疲弱，以及新產能釋放時程等。法人指出，目前北美雲端服務供應商（CSP）仍積極擴建AI資料中心，短期內資本支出縮減機率不高，但在記憶體價格上漲帶動終端產品成本提升下，手機與PC出貨量恐於2026年出現逾一成的年減壓力。
高階產能擴建嚴守紀律：新產能最快明後年釋出 DDR4 漲幅估將收斂
此外，記憶體廠商近年將資源集中於HBM與高階DRAM產能擴建，在有紀律的擴產策略下，新產能預計最快將於2027至2028年逐步釋出。至於DDR4產品，在現貨價格維持高檔下，法人預期2026年下半年漲幅將逐步收斂，而中國廠商擴產進度仍有待觀察。
AI 重塑產業循環趨勢：整體獲利維持上升格局 台美指標廠連動受惠
整體而言，法人認為，儘管部分記憶體產品價格漲勢可能趨緩，但AI需求正重塑產業循環，帶動記憶體產業進入新一波成長階段，整體獲利仍處上升趨勢。看好相關個股表現，包括美光（MU）、SanDisk（SNDK）、南亞科（2408）、華邦電（2344）、旺宏（2337）及群聯（8299）。
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2026/03/24 04:31
轉載自三立新聞網: https://www.setn.com//News.aspx?NewsID=1811745&utm_campaign=viewallnews
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